Samsung Electronics Co. anunció el miércoles que ha desarrollado su primer chip y módulo DRAM que usa tecnología liptográfica de 40 nanómetros.
El nuevo componente DDR2 de 1Gbit y el correspondiente módulo de memoria DDR2 de 1GB a 800Mbit/seg. en línea ha sido certificado por el programa Intel Platform Validation para uso con los conjuntos de chips móviles Intel GM45 series Express.
Las nuevas series GM45 de chips móviles se espera que reduzcan el consumo de energía en un 30 por ciento sobre la tecnología actual de 50 nm, dijo Samsung.
El conjunto de chip GM45 Express se enfocará inicialmente en portátiles.
La migración a la tecnología de procesos de clase 40 nm se espera que acelere el ciclo de tiempo en el mercado en un 50 por ciento, de dos años a uno, dijo Samsung.
Samsung anunció la semana pasada que había alcanzado su tecnología de chip DDR3 DRAM a nivel de procesos de 50 nm. La compañía planea aplicar la tecnología clase 40 nm para desarrollar también un dispositivo DDR3 de 2Gbit para producción en masa para finales del 2009.
“Esto definitivamente mueve a Samsung hacia adelante más agresivamente en términos de sus instalaciones de manufactura”, dijo Bob Merritt, un socio fundador de la firma de investigación Convergent Semiconductors LLC.
Merritt que el movimiento de Samsung a la liptografía de 40 nm en DDR2 también señalaría una reducción adicional de la DRAM, que ya está plagando una industria que enfrenta problemas de sobre oferta.
-Por Lucas Mearian
Computerworld (US)
FRAMINGHAM